AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7264E是AOS公司推出的一款采用AlphaSGT技术的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的开关性能组合：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至9.5毫欧，同时栅极总电荷（Qg）仅为25nC。这种低导通损耗与快速开关特性的结合，使其非常适合用于提升开关电源的转换效率。其2.4V的栅极阈值电压和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），进一步确保了其在各种环境下的稳定性和易用性。
基本参数：
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