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零件图片（仅供参考）
AOB12N50L
规格参数

AOB12N50L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和12A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现优异，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷和输入电容特性，使其具备快速的开关能力，有利于提升开关电源等应用的频率和效率，并简化驱动设计。

  • 制造商产品型号：AOB12N50L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 12A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：500V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：520 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1633pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（DPak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB12N50L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 500V 12A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB12N50L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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