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AON2809是AOS公司生产的一款采用6-WDFN封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门控的P沟道MOSFET，每个通道在4.5V栅极驱动下可提供2A的连续电流，并具有低至68毫欧的典型导通电阻，有效降低了功率损耗。

其设计针对低压应用进行了优化，具备12V的漏源电压额定值和低至900mV的栅极阈值电压，确保了与标准微控制器IO口的直接兼容性。此外，极低的栅极电荷（4.4nC）和输入电容（415pF）特性，使其能够实现快速的开关切换，适用于对效率和空间有严格要求的便携式电子设备的电源管理与负载开关电路。

• 型号:AON2809
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• AON2809，AOS产品一站式供应商。