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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7400B是一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP(3x3)封装,专为高效率、高密度电源应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs下最大值仅为7.5mΩ,配合30V的漏源电压和高达18A(Ta)/40A(Tc)的连续漏极电流处理能力,能够显著降低功率转换过程中的传导损耗。
该器件具备优异的开关特性,最大栅极电荷(Qg)低至26nC,有助于实现高速开关并降低驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换器和电机驱动等应用的理想选择。

基本参数:

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