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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB12N60FDL是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263表面贴装封装。其核心电气参数为600V漏源电压（Vdss）与12A连续漏极电流（Id），构成了其适用于中高压、中功率应用的基础。
该器件的关键性能优势体现在较低的导通电阻（650mΩ @10V, 6A）与栅极电荷（50nC @10V），这有助于在开关电源等应用中显著降低导通与开关损耗，提升整体能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与高达278W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。
基本参数：
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