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AOB12N60FDL是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263表面贴装封装。其核心电气参数为600V漏源电压（Vdss）与12A连续漏极电流（Id），构成了其适用于中高压、中功率应用的基础。

该器件的关键性能优势体现在较低的导通电阻（650mΩ @10V, 6A）与栅极电荷（50nC @10V），这有助于在开关电源等应用中显著降低导通与开关损耗，提升整体能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与高达278W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。

• 型号:AOB12N60FDL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2010 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB12N60FDL，AOS产品一站式供应商。