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AON6506是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在25°C环境温度下33A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、20A Id条件下低至2.6毫欧，能有效降低传导损耗。同时，最大60nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于减少开关损耗，提升高频开关应用的效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:AON6506
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2719 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6506，AOS产品一站式供应商。