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零件图片（仅供参考）
AON6506
规格参数

AON6506是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在25°C环境温度下33A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、20A Id条件下低至2.6毫欧，能有效降低传导损耗。同时，最大60nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于减少开关损耗，提升高频开关应用的效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了在恶劣环境下的稳定运行。

  • 制造商产品型号：AON6506
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Ta），36A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2719pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6506
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6506的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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