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零件图片（仅供参考）
AO6400_201
规格参数

AO6400_201是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数针对中低压高效开关应用进行了优化，包括30V的漏源电压(Vdss)和6.9A的连续漏极电流(Id)处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻（最大值28mΩ @ 10V Vgs）与极低的栅极电荷（最大值7nC @ 4.5V），这共同确保了在导通状态和开关瞬态下的功率损耗最小化。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）使其能够适应苛刻的环境要求，成为空间受限且追求高效率的电源转换与电机控制应用的可靠选择。

  • 制造商产品型号：AO6400_201
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.9A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 6.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.45V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-TSOP
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO6400_201
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO6400_201的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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