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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4496是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，适用于表面贴装工艺。其核心电气参数包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和在环境温度下10A的连续漏极电流（Id）处理能力。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至19.5毫欧，这能显著降低功率应用中的传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为13nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗，适用于高效率的电源转换设计。
基本参数：
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