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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4803AL是一款由AOS制造的8-SOIC封装双P沟道逻辑电平功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET,每个通道的连续漏极电流额定值为5A,漏源电压额定值为30V,适用于中低功率的开关应用。
其核心优势在于优异的导通性能与驱动便利性。在10V Vgs条件下,导通电阻低至46毫欧,有助于最小化传导损耗。同时,其最大2.5V的栅极阈值电压使其能够直接与3.3V或5V逻辑电路接口,简化了驱动设计。此外,低至11nC的栅极电荷确保了快速的开关切换能力。
该器件采用表面贴装封装,工作结温范围宽达-55°C至150°C,为空间受限且要求高可靠性的电源管理、电机驱动及负载开关电路提供了紧凑而高效的解决方案。

基本参数:

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