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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4482L_101是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为表面贴装应用而设计。其核心电气参数包括100V的漏源击穿电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs条件下导通电阻（Rds(on)）低至37毫欧（最大值），能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其44nC（最大值）的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并降低驱动需求，提升整体系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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