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零件图片（仅供参考）
AON7404G
规格参数

AON7404G 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合，在4.5V VGS下，RDS(on)最大仅为5.3mΩ，Qg最大为45nC，这确保了器件在开关电源应用中能同时实现低传导损耗和高频开关性能。

该器件额定电压为20V，连续漏极电流高达20A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备强大的电流处理能力和宽温工作可靠性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动及负载开关等高效能、高功率密度设计的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON7404G
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 20A/20A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），20A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 20A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5W（Ta），28W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7404G
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 20A/20A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7404G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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