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AON4407L_002是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x2）表面贴装封装。其核心参数针对高效、紧凑的开关应用进行了优化，在4.5V驱动电压下提供低至20毫欧的最大导通电阻，支持高达9A的连续漏极电流和12V的漏源电压。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极阈值电压为850mV，总栅极电荷仅为23nC，确保了其可由低电压逻辑直接、快速地驱动，从而降低驱动复杂性和开关损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的宽温环境。这些特性使其成为负载开关、电源管理和电机驱动等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON4407L_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：12V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 9A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 6V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x2）
• AON4407L_002，AOS产品一站式供应商。