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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF11N70是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。该器件的核心优势在于其700V的高漏源电压（Vdss）额定值，能够满足高压离线式电源应用的需求，同时提供出色的可靠性。
在性能参数上，它在10V栅极驱动下实现了低至870mΩ的导通电阻（Rds(on)），有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为45nC，确保了快速的开关特性和较低的驱动损耗，适用于高频开关电源设计。器件额定连续漏极电流为11A（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合在宽温环境下稳定工作。
基本参数：
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