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零件图片（仅供参考）
AON4407L_003
规格参数

AON4407L_003 是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x2）紧凑型封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=4.5V、ID=9A条件下，RDS(on)最大值仅为20mΩ，能显著降低功率传导损耗。

器件额定漏源电压（VDSS）为12V，连续漏极电流（ID）达9A，并具备低至23nC的栅极电荷（Qg），支持高效率与快速开关操作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合DFN封装优良的散热特性，确保了在严苛环境下的高可靠性，适用于高密度电源管理应用。

  • 制造商产品型号：AON4407L_003
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 9A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON4407L_003
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON4407L_003的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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