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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI4T60P 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251 通孔封装，专为要求高耐压和可靠性的中功率开关应用而设计。其核心电气参数包括 600V 的漏源电压 (Vdss) 和 4A 的连续漏极电流 (Id)，能够承受严苛的电压应力并提供足够的电流处理能力。
该器件的关键优势在于其优化的导通特性，在 10V 栅极驱动下，导通电阻 (Rds(on)) 典型值低至 2.1 欧姆 (@ 2A)，这有助于显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，其最大栅极电荷 (Qg) 仅为 15nC，结合 522pF 的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有利于减少开关损耗并简化驱动电路设计。
基本参数：
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