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零件图片（仅供参考）
AON4421
规格参数

AON4421是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x2）紧凑型封装。该器件设计用于高效能的功率开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。

该MOSFET的漏源电压额定值为30V，连续漏极电流能力达8A。在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为26毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷最大值低至21nC，有利于实现高速、低损耗的开关操作，提升系统整体效率。

其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和良好的逻辑电平驱动兼容性，使其成为负载开关、电源管理、电池保护及电机控制等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON4421
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1120pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON4421
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON4421的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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