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AOT292L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为要求高效率与高可靠性的功率开关应用而设计。其核心优势在于100V的漏源电压（Vdss）和高达105A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合低至4.5毫欧（@10V，20A）的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统能效。

该器件具备快速开关特性，最大栅极电荷（Qg）为126nC，并支持±20V的宽栅极驱动电压范围，确保了驱动的便捷性与稳健性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，配合TO-220封装良好的热性能，使其能够适应各种环境下的高功率应用需求，是电源转换、电机驱动等领域的理想选择。

• 型号:AOT292L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6775 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT292L，AOS产品一站式供应商。