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零件图片(仅供参考)
AOT292L
规格参数

AOT292L是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,专为要求高效率与高可靠性的功率开关应用而设计。其核心优势在于100V的漏源电压(Vdss)和高达105A(Tc)的连续漏极电流处理能力,结合低至4.5毫欧(@10V,20A)的导通电阻,能够有效降低导通损耗,提升系统能效。

该器件具备快速开关特性,最大栅极电荷(Qg)为126nC,并支持±20V的宽栅极驱动电压范围,确保了驱动的便捷性与稳健性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,配合TO-220封装良好的热性能,使其能够适应各种环境下的高功率应用需求,是电源转换、电机驱动等领域的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOT292L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):14.5A(Ta),105A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):126nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6775pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),300W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOT292L
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 105A TO220
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT292L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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