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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT20C60L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气特性包括600V的漏源电压（Vdss）和20A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧（@10A），有助于降低导通损耗，提升能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）等开关参数经过优化，有利于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。
基本参数：
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