AOTF8N65_002（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOTF8N65_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。作为一款金属氧化物半导体场效应晶体管，它属于单个MOSFET产品系列，适用于需要高效功率开关的电路设计。

该器件基于N通道技术，其核心价值在于为工程师提供了一个可靠的功率开关解决方案。虽然具体电气参数如漏源电压、连续漏极电流和导通电阻需查阅完整数据手册，但其型号标识指向650V的电压等级，使其适用于中高电压的开关电源和电机控制应用。TO-220封装确保了良好的功率处理能力和散热性能。

需要指出的是，该产品目前已处于停产状态。在进行新设计时，建议通过官方渠道获取最新的产品生命周期信息，并评估合适的替代器件。

制造商产品型号：AOTF8N65_002

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH TO220

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOTF8N65_002，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOTF8N65_002

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH TO220

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOTF8N65_002的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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