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零件图片（仅供参考）
AON4407L
规格参数

AON4407L是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用8-DFN（3x2）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率切换进行了优化，在4.5V VGS下具备仅20毫欧的低导通电阻（RDS(on)）和23nC的低栅极电荷（Qg），这使其在传导和开关损耗方面均有出色表现。

该器件额定电压为12V，连续漏极电流可达9A，并支持由低压逻辑信号直接驱动，简化了驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在各类环境条件下的稳定运行。这些特性使其成为便携式设备电源管理、负载开关和电池保护等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON4407L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 9.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON4407L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON4407L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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