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AO3421是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于平衡的性能参数：30V的漏源电压和2.6A的连续漏极电流使其适用于广泛的低压系统；而低至110毫欧（@10V）的导通电阻则显著降低了导通损耗，提升了整体能效。

该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅为5.2nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其4.5V至10V的标准驱动电压范围确保了与主流逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

• 型号:AO3421
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:240 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3421，AOS产品一站式供应商。