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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3421是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于平衡的性能参数：30V的漏源电压和2.6A的连续漏极电流使其适用于广泛的低压系统；而低至110毫欧（@10V）的导通电阻则显著降低了导通损耗，提升了整体能效。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅为5.2nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其4.5V至10V的标准驱动电压范围确保了与主流逻辑电路的直接兼容性，简化了驱动设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
制造商产品型号：AO3421制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不用於新FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 2.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：240pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3LAO3421，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3421
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3421的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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