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AO4450_101是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件核心性能参数包括40V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为低压功率应用提供了坚实的基础。

其显著的技术优势在于极低的功率损耗。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至30毫欧，配合仅13nC的最大栅极电荷（Qg），共同确保了高效的功率传输与快速的开关响应。这些特性使其在追求高效率和紧凑设计的电源转换与电机控制电路中具有重要价值。

• 制造商产品型号：AO4450_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 7A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：516pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4450_101，AOS产品一站式供应商。