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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7508是一款采用8-DFN（3x3）封装的N沟道MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数针对高效率功率转换进行了优化，具备30V的漏源电压额定值，并在25°C下可支持26A（Ta）至32A（Tc）的连续漏极电流。
该器件的关键优势在于极低的导通损耗与出色的开关性能。在10V Vgs驱动下，其导通电阻低至3毫欧（@20A），同时栅极电荷最大值仅为40nC，这共同确保了在同步整流和开关电路中实现更低的功率耗散与更高的开关频率。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）与紧凑的封装形式，使其成为空间受限、高密度电源设计的理想选择。
基本参数：
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