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AOU7S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装。其核心特性在于高达600V的漏源电压（Vdss）与7A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。优化的栅极电荷与输入电容参数支持更快的开关速度，适用于对开关性能有要求的电源拓扑。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:AOU7S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:372 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251-3
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• AOU7S60，AOS产品一站式供应商。