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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU7S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装。其核心特性在于高达600V的漏源电压（Vdss）与7A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。优化的栅极电荷与输入电容参数支持更快的开关速度，适用于对开关性能有要求的电源拓扑。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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