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零件图片(仅供参考)
AON7230
规格参数

AON7230是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP表面贴装封装,专为高效能功率转换设计。其核心优势在于100V的漏源电压(Vdss)和高达47A的连续漏极电流(Id)处理能力,结合低至11.5毫欧(@10V Vgs, 13A Id)的导通电阻,能显著降低导通损耗,提升系统效率。

此外,该器件具备优异的开关特性,最大栅极电荷(Qg)仅为45nC @ 10V,且栅极阈值电压较低,有利于实现快速、高效的开关操作,减少开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为中压、大电流开关应用的理想选择,适用于电源转换、电机驱动等高要求场景。

  • 制造商产品型号:AON7230
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:不用於新
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):47A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.5 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):45nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2320pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):54W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7230
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7230的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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