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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7230是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP表面贴装封装,专为高效能功率转换设计。其核心优势在于100V的漏源电压(Vdss)和高达47A的连续漏极电流(Id)处理能力,结合低至11.5毫欧(@10V Vgs, 13A Id)的导通电阻,能显著降低导通损耗,提升系统效率。
此外,该器件具备优异的开关特性,最大栅极电荷(Qg)仅为45nC @ 10V,且栅极阈值电压较低,有利于实现快速、高效的开关操作,减少开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为中压、大电流开关应用的理想选择,适用于电源转换、电机驱动等高要求场景。

基本参数:
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