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零件图片（仅供参考）
AOD7N65
规格参数

AOD7N65是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心参数针对高效功率开关进行了优化，其650V的漏源电压(Vdss)和7A的连续漏极电流(Id)为高压、中等电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通与开关特性平衡。最大导通电阻(Rds(on))低至1.56欧姆，有助于显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷(Qg, 最大24nC)和输入电容，确保了快速的开关速度，从而有效控制开关损耗。这些特性使其在提升系统效率和功率密度方面表现突出。

该器件设计稳健，栅源电压可承受±30V，工作结温范围宽达-50°C至150°C，适合要求高可靠性的工业及消费类电源设计，如开关电源、PFC和电机驱动等应用。

  • 制造商产品型号：AOD7N65
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.56 欧姆 @ 3.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：178W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD7N65
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD7N65的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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