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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI1N60是一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，由AOS制造。其核心电气特性包括600V的漏源电压（Vdss）与1.3A的连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其良好的开关特性平衡。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下表现优异，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大8nC）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关性能，简化了驱动电路设计并减少了开关损耗。这些特性使其在要求高可靠性与良好能效的中等功率开关电源设计中具有实用价值。
基本参数：
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