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AO8804L是一款由AOS制造的双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用8-TSSOP表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（13mΩ @ 10V, 8A）与逻辑电平兼容的栅极驱动（Vgs(th) ≤ 1V），这使其能够在低至3.3V的驱动电压下实现高效的大电流开关控制，显著降低导通损耗并提升系统能效。

该器件具备20V的漏源电压额定值，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性。其低栅极电荷（17.9nC @ 4.5V）特性支持快速的开关切换，适用于高频开关应用。AO8804L是空间紧凑型设计中实现高效功率分配、电机驱动和负载管理的理想选择。

• 制造商产品型号：AO8804L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.9nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1810pF @ 10V
• 功率-最大值：1.5W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• AO8804L，AOS产品一站式供应商。