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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3160E是AOS推出的一款高压N沟道MOSFET，采用SOT-23A-3表面贴装封装。其核心特性在于能够承受高达600V的漏源电压（Vdss），同时具备低至3.2V（最大值）的栅极阈值电压，使其可直接由低压逻辑电路驱动，简化了系统设计。
该器件在10V栅源电压下的最大导通电阻为500欧姆，结合极低的输入电容（9.5pF @25V）和栅极电荷（900pC @10V），实现了快速开关与低驱动损耗，优化了高频小电流开关应用的效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。
基本参数：
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