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AOD4454 零件图片(仅供参考)

AOD4454
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AOD4454 规格参数

AOD4454是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心电气特性包括150V的漏源电压(Vdss)和低至94毫欧(@10V,10A)的导通电阻,这确保了器件在高电压应用中具备良好的耐压能力和较低的传导损耗。

该器件设计用于高效开关,其最大栅极电荷(Qg)仅为20nC,有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。在电流承载方面,其在管壳温度下的连续漏极电流可达20A,最大功率耗散为100W(Tc),结合-55°C至175°C的宽工作结温范围,使其能够胜任要求高可靠性和高效能的工业级应用。

  • 型号:AOD4454
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 150V 3A/20A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):94 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):985 pF @ 75 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • AOD4454,AOS产品一站式供应商。
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AOD4454 基本参数:

  • 电子零件型号:AOD4454
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 150V 3A/20A TO252
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOD4454的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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