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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF8T50PL是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220F通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压功率开关应用中的定位:500V的漏源击穿电压(Vdss)确保了在离线式电源等场合的电压可靠性,而8A的连续漏极电流(Id)则提供了可观的电流处理能力。
该器件的性能亮点在于其导通特性与开关特性的平衡。在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(on))最大值为810毫欧,有助于降低导通损耗。同时,较低的栅极电荷(Qg,最大值19nC)与输入电容(Ciss)有利于实现快速开关,提升系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,适用于多样的环境条件。

基本参数:

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