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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF20S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。该器件核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为199毫欧，配合19.8nC的最大栅极电荷（Qg），有效降低了导通与开关损耗，有助于提升系统能效。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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