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AOI518_001 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 MOSFET（金属氧化物）技术，专为高效功率开关设计。其核心优势在于极低的导通电阻（最大 8 毫欧 @ 20A, 10V）与优化的栅极电荷（最大 22.5nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和快速的开关速度，从而提升系统能效并支持更高频率的操作。

该器件额定漏源电压（Vdss）为 30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达 46A 的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。其驱动电压兼容常见的 4.5V 至 10V 逻辑电平，阈值电压最大 2.6V，便于控制。宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其适用于环境要求严苛的各类工业与消费电子应用。

• 制造商产品型号：AOI518_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AOI518_001，AOS产品一站式供应商。