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AOD423是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在20V Vgs和20A Id条件下，Rds(on)典型值仅为6.2毫欧，能显著降低导通损耗，提升电源转换效率。

该器件额定漏源电压为30V，具备出色的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达70A，最大功率耗散为90W。其栅极电荷（Qg）低至65nC，支持快速开关，适用于高频开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AOD423
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2760 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD423，AOS产品一站式供应商。