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AOD403_003是一款采用TO-252封装的P沟道功率MOSFET，其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。该器件在30V的漏源电压下，提供了极低的导通电阻（6.2毫欧 @ 20A，20V）和适中的栅极电荷（61nC @ 10V），这有助于在负载开关和电源转换应用中显著降低功率损耗，提升整体效率。

其电流处理能力突出，在管壳温度（Tc）条件下连续漏极电流高达70A，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与耐用性。较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大3.5V）使其易于被标准逻辑电平驱动，简化了系统设计。这款器件是面向高效率、高密度功率管理设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD403_003
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252（DPAK）
• AOD403_003，AOS产品一站式供应商。