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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI516是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为5mΩ，能显著降低导通损耗。器件额定漏源电压为30V，在管壳温度下可持续处理高达46A的电流，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷低至33nC，有助于实现高效率和高频开关操作。其4.5V至10V的标准驱动电压范围与较低的栅极阈值电压，确保了与主流控制器的良好兼容性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和DC-DC转换等中功率开关应用的理想选择。
制造商产品型号：AOI516制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1229pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI516，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI516
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI516的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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