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AOI516是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为5mΩ，能显著降低导通损耗。器件额定漏源电压为30V，在管壳温度下可持续处理高达46A的电流，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围。

该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷低至33nC，有助于实现高效率和高频开关操作。其4.5V至10V的标准驱动电压范围与较低的栅极阈值电压，确保了与主流控制器的良好兼容性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和DC-DC转换等中功率开关应用的理想选择。

• 型号:AOI516
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1229 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI516，AOS产品一站式供应商。