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AOD600A70R 是一款采用 aMOS5 技术的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装。其核心电气参数包括 700V 的漏源电压和 8.5A 的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的性能平衡：在 10V 驱动下导通电阻低至 600 毫欧，有助于降低导通损耗；同时，其栅极电荷最大值仅为 15.5nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在高达 150°C 的结温下，能够高效可靠地工作于各类功率转换拓扑中。

• 型号:AOD600A70R
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD600A70R，AOS产品一站式供应商。