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AO4314是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效能功率管理应用而设计。其核心卖点在于36V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合极低的导通电阻（典型值6mΩ @ 10V, 20A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。

该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为23nC @ 10V，有助于在高频开关电源中减少开关损耗。其驱动电压范围（4.5V-10V）与常见的逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性，适用于DC-DC转换、电机驱动及负载开关等应用。

• 型号:AO4314
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:36 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1470 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4314，AOS产品一站式供应商。