AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6522 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）封装，专为高电流、高效率应用而优化。其核心卖点在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为0.95毫欧，这能有效降低传导损耗，提升系统能效。同时，该器件支持高达200A（Tc）的连续漏极电流和25V的漏源电压，具备强大的功率处理能力。
该器件设计兼顾了开关性能，其栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速的开关切换并减少开关损耗。其宽泛的驱动电压范围（4.5V至20V）确保了与多种控制电路的兼容性。结合其表面贴装形式和增强的热性能，AON6522是高密度电源设计，如同步整流、电机驱动和负载管理等应用的理想选择。
基本参数：
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