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零件图片（仅供参考）
AOI4286
规格参数

AOI4286是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，专为要求高效率与可靠性的中等功率开关应用而设计。其核心优势在于100V的漏源电压（Vdss）和低至68毫欧（@10V Vgs， 5A Id）的导通电阻，这有效降低了导通损耗，提升了系统能效。

该器件具备优异的电流处理能力，壳温下连续漏极电流高达14A，并支持宽泛的-55°C至175°C结温工作范围。其低栅极电荷（10nC @10V）和输入电容特性确保了快速的开关速度，适合高频操作。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动及负载管理等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOI4286
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta），14A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.9V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），30W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-251A
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOI4286
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOI4286的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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