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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF66920L是AOS公司基于AlphaSGT技术推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-220F封装。其核心优势在于优异的性能平衡，具备100V的漏源电压（Vdss）和高达41A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键电气参数突出其高效能特性：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至8.2毫欧（@20A），有效降低了导通损耗；同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为50nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与高可靠性的中压功率开关应用的理想选择。
基本参数：
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