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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS62614T是一款采用AlphaSGT技术的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）和卓越的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为39A，结合散热设计后可达100A。
该器件在10V Vgs、20A条件下提供低至2.5毫欧（最大值）的导通电阻，显著降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为90nC，配合低栅极阈值电压，确保了快速开关性能，有助于减少开关损耗并提升系统频率。器件采用热增强型8-DFN-EP封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛环境。
基本参数：
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