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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT8N50是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心参数定义了其在高压开关应用中的优势地位：500V的漏源电压（Vdss）提供了应对高压输入所需的足够裕量；在壳温条件下8A的连续漏极电流（Id）与192W的最大功率耗散能力，确保了其可承载可观的功率等级。
该器件的性能亮点在于其低损耗特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、4A Id条件下最大仅为850毫欧，有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，最大28nC的低栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升系统整体效率，使其成为高效电源设计的理想选择。
基本参数：
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