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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD950A70是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，其核心规格为700V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id）。该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至950毫欧，有助于显著降低导通损耗。
同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，结合TO-252（DPAK）封装良好的热性能，使得该MOSFET在要求高效率与快速开关的功率转换拓扑中表现出色。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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