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零件图片(仅供参考)
AOD446
规格参数

AOD446是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,核心参数针对中压、中电流开关应用进行了优化。其额定漏源电压(Vdss)为75V,在壳温25°C下连续漏极电流(Id)可达10A,提供了坚实的功率处理基础。

该器件的核心优势在于其低损耗特性。在5A,20V Vgs条件下,导通电阻(Rds(on))最大值仅为130毫欧,有效降低了导通压降与热耗散。同时,其栅极总电荷(Qg)最大值低至6.5nC(@10V),结合4.5V的标准驱动开启电压,确保了快速、高效的开关性能,有利于提升系统频率和整体能效。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,适用于要求苛刻的环境。

  • 制造商产品型号:AOD446
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 75V 10A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):75V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 5A,20V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):6.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 30V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),20W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD446
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 75V 10A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD446的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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