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AON5802BL是AOS推出的一款采用6-VFDFN封装的表面贴装、双N沟道共漏极MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的功率开关，漏源电压（Vdss）额定为30V，能够满足主流低压系统的电压需求。

其核心电气参数表现出色，在4.5V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）低至19毫欧（@7A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，1.5V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平的良好兼容性，便于直接驱动。这些特性使其在需要高效率和小尺寸的功率切换应用中成为理想选择。

• 型号:AON5802BL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN-EP（2x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN-EP（2x5）
• AON5802BL，AOS产品一站式供应商。