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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3487是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和4.3A的连续漏极电流（Id），为中小功率开关应用提供了可靠的电压与电流裕量。
该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大值为48毫欧，配合仅15nC的最大栅极电荷（Qg），确保了高效的功率传输与快速的开关速度。这些特性使其非常适合用于由低电压逻辑直接驱动的高频开关电路，例如便携式设备的负载管理和DC-DC转换。
制造商产品型号：AO3487制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 4.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3AO3487，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3487
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3487的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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