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AOTF7T60PL是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件具备1.1欧姆的最大导通电阻（@10V， 3.5A）以及仅25nC的最大栅极电荷（@10V），在保证较低导通损耗的同时，实现了良好的开关性能。其设计支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并采用标准封装，适用于要求高可靠性与便捷散热的功率转换场景。

• 型号:AOTF7T60PL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:29W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF7T60PL，AOS产品一站式供应商。