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AO4882 零件图片(仅供参考)

AO4882
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AO4882 规格参数

AO4882是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET,采用8-SOIC封装。其核心优势在于将40V的漏源电压耐受能力低至19毫欧的导通电阻(@10V,8A)相结合,有效降低了功率损耗。同时,其最大2.4V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动,无需额外的电平转换。

该器件具备快速开关特性,最大栅极电荷仅为12nC,有助于提升开关电源等应用的频率和效率。其额定连续漏极电流为8A,工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在多种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为空间紧凑型高密度电源管理、电机驱动及负载开关等应用的优选解决方案。

  • 型号:AO4882
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):415pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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AO4882 基本参数:

  • 电子零件型号:AO4882
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询AO4882的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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