AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4882是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心优势在于将40V的漏源电压耐受能力与低至19毫欧的导通电阻（@10V，8A）相结合，有效降低了功率损耗。同时，其最大2.4V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动，无需额外的电平转换。
该器件具备快速开关特性，最大栅极电荷仅为12nC，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。其额定连续漏极电流为8A，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为空间紧凑型高密度电源管理、电机驱动及负载开关等应用的优选解决方案。
基本参数：
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