AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR66922是一款采用AOS先进AlphaSGT技术的N沟道MOSFET，采用8-DFN-EP（3.3x3.3）紧凑封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压（VDSS），在壳温（TC）下可支持高达50A的连续漏极电流，并具备低至9毫欧（@10V，15A）的导通电阻和仅46nC（@10V）的栅极电荷。
这些特性共同实现了极低的传导与开关损耗。器件具备优异的散热能力，最大功率耗散在TC条件下可达52W，工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。它主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动和电源管理等需要高性能功率开关的领域。
基本参数：
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